N-Kanal-Transistor STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-Kanal-Transistor STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
4.24€
5-24
3.87€
25-49
3.60€
50-99
3.38€
100+
2.87€
Menge auf Lager: 227

N-Kanal-Transistor STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2180pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80ZFP. Kosten): 205pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP10NK80ZFP
30 Parameter
ID (T=100°C)
6A
ID (T=25°C)
9A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.78 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2180pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
mit Zenerdiode geschützt
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P10NK80ZFP
Kosten)
205pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
65 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
645 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics