N-Kanal-Transistor STP110N8F6, TO-220
Menge
Stückpreis
1-4
7.30€
5-9
6.01€
10-19
5.78€
20-49
5.61€
50+
5.43€
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N-Kanal-Transistor STP110N8F6, TO-220. Gehäuse: TO-220. Aufladung: 150nC. Betriebstemperatur: -55...175°C. Drain-Source-Spannung: 80V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 200W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 110A. Technologie: STripFET. Transistortyp: N-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 03:26
STP110N8F6
13 Parameter
Gehäuse
TO-220
Aufladung
150nC
Betriebstemperatur
-55...175°C
Drain-Source-Spannung
80V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
200W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
110A
Technologie
STripFET
Transistortyp
N-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics