N-Kanal-Transistor STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 230pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24