N-Kanal-Transistor STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -...+150°C. C(in): 850pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 44pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24