N-Kanal-Transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

N-Kanal-Transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.65€
5-24
1.46€
25-49
1.29€
50-99
1.12€
100+
0.91€
Menge auf Lager: 37

N-Kanal-Transistor STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1180pF. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangsaufladung. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP30NF10
33 Parameter
ID (T=100°C)
25A
ID (T=25°C)
35A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.038 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1180pF
Diodenschwellenspannung
1.3V
Drain-Source-Schutz
ja
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
115W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Eingangsaufladung
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
110us
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics