N-Kanal-Transistor STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

N-Kanal-Transistor STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.17€
5-49
1.02€
50-99
0.86€
100+
0.81€
+54 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 24

N-Kanal-Transistor STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 30A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Funktion: trr 55ns, effizientes DV/DT. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Herstellerkennzeichnung: P36NF06L. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP36NF06L
30 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
IDSS (max)
30A
Drain-Source-Spannung Uds [V]
60V
Einschaltwiderstand Rds On
0.032 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
19 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
660pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
30A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 15A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Funktion
trr 55ns, effizientes DV/DT
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
2.5V
Herstellerkennzeichnung
P36NF06L
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
70W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics