N-Kanal-Transistor STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V
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N-Kanal-Transistor STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 310pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Herstellerkennzeichnung: P4NK50Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45
STP4NK50Z-ZENER
16 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
21 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
310pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
3A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
2.7 Ohms @ 1.5A
Einschaltzeit ton [nsec.]
10 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4.5V
Herstellerkennzeichnung
P4NK50Z
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
45W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics