N-Kanal-Transistor STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V
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N-Kanal-Transistor STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. ID (T=100°C): 35A. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: ja. Eigenschaften: -. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 50A. Id(imp): 200A. Information: -. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06. Kosten): 300pF. MSL: -. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24