N-Kanal-Transistor STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 910pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 17.2A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80Z. Kosten): 98pF. Leistung: 110W. Maximaler Drainstrom: 4.3A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24