N-Kanal-Transistor STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. C(in): 2000pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 60A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Funktion: niedrige Gate-Ladung, VGS(th) 1...2,5V. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Herstellerkennzeichnung: P60NF06L. IDss (min): 1uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 360pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: niedrige Gate-Ladung, VGS(th) 1...2,5V. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temperatur: +240°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110us. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24