N-Kanal-Transistor STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (Drain-Source-Spannung): 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Gehäuse: TO-220. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Antriebsspannung: 10V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 905pF. Drain-Source-Schutz: ja. Eigenschaften: -. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 4A. Information: -. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK60Z. Kosten): 115pF. MSL: -. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 104W. Polarität: MOSFET N. Rds on (max) @ id, vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. RoHS: ja. Serie: SuperMESH. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 445 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58