N-Kanal-Transistor STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

N-Kanal-Transistor STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
4.42€
5-9
3.91€
10-24
3.45€
25+
3.20€
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N-Kanal-Transistor STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 1250pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 22.4A. Kanaltyp: N. Kosten): 128pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 700 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
STW5NB90
30 Parameter
ID (T=100°C)
3.3A
ID (T=25°C)
5.6A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.3 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
1250pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schaltnetzteile (SMPS)
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
22.4A
Kanaltyp
N
Kosten)
128pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Td(off)
13 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
700 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics