N-Kanal-Transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

N-Kanal-Transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
3.94€
5-14
3.39€
15-29
3.07€
30-59
2.87€
60+
2.56€
Menge auf Lager: 14

N-Kanal-Transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1154pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W5NK100Z. Kosten): 106pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 605 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
STW5NK100Z
31 Parameter
ID (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.7 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
1000V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1154pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
mit Zenerdiode geschützt
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
W5NK100Z
Kosten)
106pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Td(off)
51.5 ns
Td(on)
22.5 ns
Technologie
SuperMESH3™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
605 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics