N-Kanal-Transistor VNP20N07, TO-220, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, 70V, TO-220AB, 70V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 20A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 1200 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: -. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ 10A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 180 ns. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: VNP20N07-E. IDss (min): 50uA. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +135°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Technologie: OMNIFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08