N-Kanal-Transistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 75uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code S3NV04DP. IDss (min): 30uA. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S3NV04DP. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 4W. Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 107ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08