N-Kanal-Transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms
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N-Kanal-Transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0086 Ohms. Kanaltyp: N. Leistung: 125W. Maximaler Drainstrom: 70A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:28
YJP70G10A
7 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
100V
Einschaltwiderstand Rds On
0.0086 Ohms
Kanaltyp
N
Leistung
125W
Maximaler Drainstrom
70A
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Yangjie Electronic Technology