SGM8542XS-TR

SGM8542XS-TR

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SGM8542XS-TR. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Anzahl der Kreise: 2. Anzahl der Terminals: 8:1. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Stromaufnahme [mA]: 0.09mA. [V]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Sg Micro. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:05

Technische Dokumentation (PDF)
SGM8542XS-TR
12 Parameter
Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]
0.52V/us
Anzahl der Kreise
2
Anzahl der Terminals
8:1
Bandbreite [MHz]
1.1 MHz
Gehäuse
SO8
Komponentenfamilie
Operationsverstärker
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+125°C
RoHS
ja
Schaltungstyp
Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm
Stromaufnahme [mA]
0.09mA
Originalprodukt vom Hersteller
Sg Micro