Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW17N80C3

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW17N80C3
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N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW17N80C3. N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

Technische Dokumentation

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SPP17N80C3

SPP17N80C3

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N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V
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