STW43NM60ND

STW43NM60ND. C(in): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 255W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Niedriger Gate-Eingangswiderstand. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.