Transistor DI010N03PW
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Transistor DI010N03PW. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: ±20V. Gehäuse: PowerQFN 2x2. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 10A. Information: -. MSL: -. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Vdss (Drain-Source-Spannung): 30V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
DI010N03PW
9 Parameter
Gate/Source-Spannung Vgs max
±20V
Gehäuse
PowerQFN 2x2
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
10A
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
1.4W
Polarität
MOSFET N
Vdss (Drain-Source-Spannung)
30V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec
Mindestmenge
10