1-5KE10A

1-5KE10A

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Stückpreis
1-4
0.45€
5-24
0.34€
25-49
0.31€
50+
0.27€
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1-5KE10A. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 10V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.5V. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.5V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Toleranz: 5%. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 14:28

Technische Dokumentation (PDF)
1-5KE10A
25 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchbruchspannung
10V
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
Gehäuse
DO-201
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
8.5V
IFSM
200A
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
10uA @ 8.5V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1500W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Toleranz
5%
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
10.5V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor