Überspannungsschutzdioden

Spannung: 35-60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unabhängig. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz von Daten, Audio, Video-Ein-/Ausgabe. IFSM: 30A. Kapazität: 0.15pF. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: ESD-geschützt. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SMD 0603. Gehäuse (laut Datenblatt): 0603ESDA ( 1.6x0.8x0.6mm ). Betriebstemperatur: -55...+105°C. Varistorspannung: 14...30VDC

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 85.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 100V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 105V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 85.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Hinweis: Transientenunterdrücker. Durchbruchspannung: 100V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8.5V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.5V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 8.5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 102V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 114V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 120V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 126V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 102V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Durchbruchspannung: 120V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

Durchbruchspannung: 12V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Gehäuse: DO-201

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 10.2V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 111V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 124V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 130V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 137V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 111V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 11.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 11.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 11.1V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 12.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 11.1V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 150V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V

Durchbruchspannung: 150V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 128V. Gehäuse: DO-201

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 15V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 136V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 152V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 160V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 168V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 136V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 160V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. VRRM: 160V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 13.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 13.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 13.6V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 15.2V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 13.6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 KE-Serie unidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 145V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 162V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 170V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 179V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 145V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 145V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 162V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 170V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 179V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 145V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Anzahl der Terminals: 2. Durchbruchspannung: 180V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1,5 Zweiwege-Entstörer der KE-Serie (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: CB 429. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 154V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 171V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 180V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 189V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 154V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15.3V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 17.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 15.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchbruchspannung: 18V. Leistung: 1500W. Dielektrische Struktur: unidirektional. Gehäuse: DO-201

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schutz gegen Überspannung. IFSM: 200A. Durchbruchspannung: 18V. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V