1-5KE33A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung (Min): 31.4V. Durchbruchspannung: 33V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO201 (5.3x9.0mm). Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. IFSM: 200A. Information: -. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Leistung: 1500W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Rückwärts-Abstandsspannung: 28.2V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Serie: 1.5KE. Spitzenimpulsstrom (10/1000us): 33A. Spitzenverlustleistung: 1500W. Struktur: unidirektional. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 24/11/2025, 03:42