1-5KE36CA

1-5KE36CA

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0.47€
5-24
0.41€
25-49
0.36€
50-99
0.31€
100+
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1-5KE36CA. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 36V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: bidirektional. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 30.8V. IFSM: 200A. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 30.8V. Leistung: 1.5kW. Max Rückspannung: 30.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. Pulsstrom max.: 30A. RoHS: ja. Rückstrom: 1uA. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.8V @ 1mA. VRRM: 36V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 24/11/2025, 03:42

Technische Dokumentation (PDF)
1-5KE36CA
31 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Dielektrische Struktur
bidirektional
Diodentyp
TVS
Durchbruchspannung
36V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 9.0x5.0mm )
Gehäuse
DO-201
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
bidirektional
Haltespannung in Schließrichtung [V]
30.8V
IFSM
200A
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 30.8V
Leistung
1.5kW
Max Rückspannung
30.8V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1500W
Pulsstrom max.
30A
RoHS
ja
Rückstrom
1uA
Transientenunterdrückertyp
bidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
37.8V @ 1mA
VRRM
36V
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor