1-5KE56A

1-5KE56A

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1-5KE56A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 56V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 47.8V. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 47.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/12/2025, 18:34

Technische Dokumentation (PDF)
1-5KE56A
22 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
unidirektional
Durchbruchspannung
56V
Durchlassspannung Vf (min)
3.5V
Funktion
Schutz gegen Überspannung
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Gehäuse
DO-201
Halbleitermaterial
Silizium
Haltespannung in Schließrichtung [V]
47.8V
IFSM
200A
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 47.8V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
1500 W @ 1ms
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
1.5 kW
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
5V
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Ubr [V] bei Ibr [A]
58.8V @ 1mA
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor