1-5KE56CA. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: 56V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse: CB 429. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 47.8V. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 47.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500 W @ 1ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.8V @ 1mA. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/12/2025, 18:34