1-5KE6V8CA. Abmessungen: 7.4x5.4mm. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: bidirektional. Durchbruchspannung: 68V. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse: DO-201. Halbleitermaterial: Silizium. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Hinweis: Transientenunterdrücker. IFSM: 200A. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.5 kW. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. VRRM: 6.8V. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 18/12/2025, 12:42