1N5333B, 5W, DO-201, DO-201, 3.3V

1N5333B, 5W, DO-201, DO-201, 3.3V

Menge
Stückpreis
1-4
0.47€
5-24
0.40€
25-49
0.34€
50-99
0.30€
100+
0.24€
Menge auf Lager: 174

1N5333B, 5W, DO-201, DO-201, 3.3V. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 3.3V. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: Überspannungsleistung von bis zu 180 W bei 8,3 ms. Vorwärtsstrom (AV): 300mA. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
1N5333B
14 Parameter
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse
DO-201
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zenerspannung
3.3V
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Funktion
ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Spec info
Überspannungsleistung von bis zu 180 W bei 8,3 ms
Vorwärtsstrom (AV)
300mA
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor