Zenerdioden

Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Zenerspannung: 75V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 7.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 28mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1W (25°C), 5%

Zenerspannung: 11V. Gehäuse: DO-41. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 12V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 9.1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 9 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1W (25°C), 5%

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 3.3V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ESD-Bewertung der Klasse 3 (>16 kV) pro menschlichem Körpermodell. Vorwärtsstrom (AV): 300mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Überspannungsleistung von bis zu 180 W bei 8,3 ms

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 150uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2.5 Ohms @ 350mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 3.9V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 50uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 320mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 4.7V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 5.1V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Anzahl der Terminals: 2

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1.5 Ohms @ 240mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 5.6V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 220mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 6.2V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C. VRRM: 6.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 200mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 6.8V. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1N5342B. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Anzahl der Terminals: 2

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.8V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 5.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 175mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 7.5V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 8.2V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 6.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): 5W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 7.6V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 125mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 11V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 12V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1

Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 13V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1