1N5339B, DO-201, 5W, DO-201, 5.6V

1N5339B, DO-201, 5W, DO-201, 5.6V

Menge
Stückpreis
1-4
0.34€
5-49
0.28€
50-99
0.24€
100-199
0.22€
200+
0.19€
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1N5339B, DO-201, 5W, DO-201, 5.6V. Gehäuse: DO-201. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Leistung: 5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
1N5339B
16 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201
Zenerspannung
5.6V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Leistung
5W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Toleranz
5%
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor