1N5388B, DO-201, 5W, 200V, DO-201AD, 200V, 5W

1N5388B, DO-201, 5W, 200V, DO-201AD, 200V, 5W

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Stückpreis
1-4
0.35€
5-49
0.29€
50-99
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100-199
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1N5388B, DO-201, 5W, 200V, DO-201AD, 200V, 5W. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 200V. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Zenerspannung: 200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Zenerdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 152V. Leistung: 5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Verpackung: Ammo Pack. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 480 Ohms @ 5mA. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:14

Technische Dokumentation (PDF)
1N5388B
25 Parameter
Gehäuse
DO-201
Pd (Verlustleistung, max)
5W
Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.
200V
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201AD
Zenerspannung
200V
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
5W
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodentyp
Zenerdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Komponentenfamilie
Zenerdiode, Leistung 5 W (75 °C), 5 %, 1N53-Serie
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]
0.5uA @ 152V
Leistung
5W
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Toleranz
5%
Verpackung
Ammo Pack
Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]
480 Ohms @ 5mA
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor