2N5886

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	7.82€	9.38€
2 - 2	7.43€	8.92€
3 - 4	7.04€	8.45€
5 - 9	6.65€	7.98€
10 - 19	6.49€	7.79€
20 - 29	6.33€	7.60€
30 - 168	6.10€	7.32€

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Set mit 1

2N5886. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5884. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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