NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: 0.3us

NPN-Transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-39, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N1893. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 70 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 25pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2N2907A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( BULK Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Verstärkertransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N2222A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 25 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NPN-Transistor. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-18. Kosten): TO-18. CE-Diode: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 500 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+200°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3019. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 60V, 15A, TO-3. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 115W

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Audioverstärker linear und schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planartechnologie auf Epitaxiebasis“. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ2955. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3055G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 115W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer NPN-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Produktionsdatum: 2014/06. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 117W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 117W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: NINCS. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3772. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200kHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3773G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor