NPN-Transistor 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 25pF. CE-Diode: nein. FT: 300 MHz. Frequenz: 250MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N2219A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A]: 800mA. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 8pF. Leistung: 800mW. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37