NPN-Transistor 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V

NPN-Transistor 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V

Menge
Stückpreis
1-4
0.88€
5-24
0.79€
25-49
0.71€
50-99
0.65€
100+
0.55€
+2487 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 42

NPN-Transistor 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -60...+200°C. C(in): 25pF. CE-Diode: nein. FT: 300 MHz. Frequenz: 250MHz. Funktion: Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N2222A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A]: 600mA. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 8pF. Leistung: 0.625W. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Vebo: 6V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N2222A
43 Parameter
Gehäuse
TO-18 ( TO-206 )
Kollektorstrom Ic [A], max.
600mA
Kollektorstrom
0.8A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-18
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-60...+200°C
C(in)
25pF
CE-Diode
nein
FT
300 MHz
Frequenz
250MHz
Funktion
Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-18
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
2N2222A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
40V
Kollektorstrom Ic [A]
600mA
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
8pF
Leistung
0.625W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.8W
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
35
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
40V
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Technologie
PLANAR TRANSISTOR
Tf(max)
60 ns
Tf(min)
60 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
75V
Vebo
6V
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 2N2222A