NPN-Transistor 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V

NPN-Transistor 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0834€
50-99
0.0734€
100-199
0.0645€
200+
0.0500€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 610
Minimum: 10

NPN-Transistor 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 30pF. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2N2907A. Kosten): 8pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N2222A-PL
26 Parameter
Kollektorstrom
0.8A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
C(in)
30pF
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) 2N2907A
Kosten)
8pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
35
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Transistortyp
NPN
VCBO
75V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10

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