NPN-Transistor 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. C(in): 60pF. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Frequenz: 100MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N3019. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 12pF. Leistung: 800mW. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 140V. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37