NPN-Transistor 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V
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NPN-Transistor 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 270MHz. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 8pF. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 60V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. Darlington-Transistor?: nein. FT: 250 MHz. Frequenz: 300MHz. Funktion: Schalttransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N3904. Ic(Impuls): 200mA. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A]: 200mA. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 4pF. Leistung: 0.625W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: 2N. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Strom max 1: 0.2A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Typ: Standard. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37