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2SB1012

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2SB1012. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

Technische Dokumentation