2SB1243

2SB1243. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 4.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1243 (RN). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaktischer planarer Typ“. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): ATV. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.