Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SB857

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2SB857. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 47. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1133. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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