PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. FT: 8 MHz. Funktion: S-L. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V

NPN-Transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V

NPN-Transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2905A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Verstärker, Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V

NPN-Transistor, 0.6A, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: >40. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N2907A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: UKW-Verstärker

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hfe 100. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Ic(Impuls): 0.8A. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF-S. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Si-Epitaxie-Planartransistor. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3906. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39 ( TO-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. C(in): 30pF. Kosten): 8.5pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -50V, -50mA, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -50V. Kollektorstrom: -50mA. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Max Frequenz: 40 MHz

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 3V. Funktion: Vorverstärker. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N5886

NPN-Transistor, 7A, 60V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Hinweis: hFE 20. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Spec info: TO-220AB

NPN-Transistor, 2A, 225V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 225V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Transistortyp: PNP. VCBO: 275V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6287G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-66. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-66. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488