NPN-Transistor 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

NPN-Transistor 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
1.21€
5-24
1.04€
25-49
0.94€
50-99
0.88€
100+
0.78€
Menge auf Lager: 9

NPN-Transistor 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. C(in): 75pF. CE-Diode: nein. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 15pF. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N5416
24 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
TO-39 ( TO-205 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-39
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+200°C
C(in)
75pF
CE-Diode
nein
FT
15 MHz
Funktion
Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
15pF
Maximaler hFE-Gewinn
120
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
10W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Transistortyp
PNP
VCBO
350V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil