NPN-Transistor 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

NPN-Transistor 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0598€
50-99
0.0517€
100-199
0.0454€
200+
0.0381€
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NPN-Transistor 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 30pF. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Frequenz: 200MHz. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N4403. Kollektorstrom Ic [A]: 600mA. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konditionierung: Ammo Pack. Konditionierungseinheit: 2000. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 8.5pF. Leistung: 0.625W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N4403
43 Parameter
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
40V
Kollektorstrom Ic [A], max.
600mA
Kollektorstrom
0.6A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92Ammo Pack
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
30pF
CE-Diode
nein
FT
200 MHz
Frequenz
200MHz
Grenzfrequenz ft [MHz]
200 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
2N4403
Kollektorstrom Ic [A]
600mA
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konditionierung
Ammo Pack
Konditionierungseinheit
2000
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
8.5pF
Leistung
0.625W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.75V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
40V
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Tf(max)
30 ns
Transistortyp
PNP
VCBO
40V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10

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