2SC1962

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kosten): 30pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1