Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC2500

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2SC2500. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2500. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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