Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 4 | 3.16€ | 3.79€ |
5 - 9 | 3.00€ | 3.60€ |
10 - 11 | 2.84€ | 3.41€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.16€ | 3.79€ |
5 - 9 | 3.00€ | 3.60€ |
10 - 11 | 2.84€ | 3.41€ |
2SC3460. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.
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