Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

2SC3616

2SC3616
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2SC3616. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Maximaler hFE-Gewinn: 3200. Minimaler hFE-Gewinn: 800. Kollektorstrom: 700mA. Ic(Impuls): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-43B, TO92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.14V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 15V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Menge pro Karton: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Kollektorstrom: 0.7A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Menge pro Karton: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V
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