Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.03€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.01€ |
250 - 3932 | 0.80€ | 0.96€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.13€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.03€ |
100 - 249 | 0.84€ | 1.01€ |
250 - 3932 | 0.80€ | 0.96€ |
2SC4517. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6 MHz. Funktion: Hochspannungsschalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 550V. Vebo: 7V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.