2SC5198-TOS

2SC5198-TOS. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5198 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1941. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.